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碳硅材料高剪切研磨分散機

碳硅材料高剪切研磨分散機轉(zhuǎn)子速度可以達(dá)到66m/s。在該速度范圍內(nèi),由剪切力所造成的湍流結(jié)合專門研制的電機可以使粒徑范圍小到納米級。剪切力更強,乳液的粒徑分布更窄。

  • 產(chǎn)品型號:XMD
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2025-09-06
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碳硅材料高剪切研磨分散機

碳硅材料研磨分散機,石墨烯研磨分散機,硅基材料研磨分散機,石墨烯負(fù)極料液研磨分散機,硅基材料研磨分散機設(shè)備。 
硅基材料作為鋰離子電池負(fù)***有容量高、來源廣泛以及環(huán)境友好等優(yōu)勢,有望替代目前應(yīng)用廣泛的石墨負(fù)極成為 下一代鋰離子電池的主要負(fù)極材料。本文從材料選擇、結(jié)構(gòu)設(shè)計以及電極優(yōu)化方面簡要介紹了硅/碳復(fù)合材料的*新研究進(jìn) 展,并對未來發(fā)展方向進(jìn)行了展望。
 
硅在常溫下可與鋰合金化,生成Li15Si4相,理論比容量高達(dá)3572 mA·h/g,遠(yuǎn)高于商業(yè)化石墨理論比容量(372 mA·h/g),在地殼元素中儲量豐富(26.4%,第2位),成本低、環(huán)境友好,因而硅負(fù)極材料一直備受科研人員關(guān)注,是*具潛力的下一代鋰離子電池負(fù)極材料之一。
 
然而,硅在充放電過程中存在嚴(yán)重的體積膨脹(~300%),巨大的體積效應(yīng)及較低的電導(dǎo)率限制了硅負(fù)極技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用。為克服這些缺陷,研究者進(jìn)行了大量的嘗試,采用復(fù)合化技術(shù),利用“緩沖骨架”補償材料膨脹。
碳質(zhì)負(fù)極材料在充放電過程中體積變化較小,具有較好的循環(huán)穩(wěn)定性能,而且碳質(zhì)負(fù)極材料本身是離子與電子的混合導(dǎo)體;另外,硅與碳化學(xué)性質(zhì)相近,二者能緊密結(jié)合,因此碳常用作與硅復(fù)合的***基質(zhì)。
 
在 Si/C復(fù)合體系中,Si顆粒作為活性物質(zhì),提供儲鋰容量;C既能緩沖充放電過程中硅負(fù)極的體積變化,又能改善Si質(zhì)材料的導(dǎo)電性,還能避免Si顆粒在充放電循環(huán)中發(fā)生團(tuán)聚。因此Si/C復(fù)合材料綜合了二者的優(yōu)點,表現(xiàn)出高比容量和較長循環(huán)壽命,有望代替石墨成為新一代鋰離子電池負(fù)極材料。近年來,硅碳負(fù)極材料相關(guān)技術(shù)發(fā)展迅速,迄今已有少量產(chǎn)品實現(xiàn)實用化,日本日立集團(tuán)Maxell公司已開發(fā)出一種以“SiO-C”材料為負(fù)極的新式鋰電池,并成功地應(yīng)用到諸如智能手機等商業(yè)化產(chǎn)品中。然而,硅碳負(fù) 極鋰離子電池距離真正大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用仍有大量科學(xué)問題亟需解決。
 
硅碳復(fù)合材料結(jié)構(gòu)設(shè)計
從硅碳復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)出發(fā),可將目前研究的硅碳復(fù)合材料分為包覆結(jié)構(gòu)和嵌入結(jié)構(gòu)。
1.1 包覆結(jié)構(gòu)
包覆結(jié)構(gòu)是在活性物質(zhì)硅表面包覆碳層,緩解硅的體積效應(yīng),增強其導(dǎo)電性。根據(jù)包覆結(jié)構(gòu)和硅顆粒形貌,包覆結(jié)構(gòu)可分為核殼型、蛋黃-殼型以及多孔型。
1.1.1 核殼型
核殼型硅/碳復(fù)合材料是以硅顆粒為核,在核外表面均勻包覆一層碳層。碳層的存 在不僅有利于增加硅的電導(dǎo)率,緩沖硅在脫嵌鋰過程中的部分體積效應(yīng),還可以*大限度降低硅表面與電解液的直接接觸,進(jìn)而緩解電解液分解,使整個電極的循環(huán)性能得到提高。
Zhang等采用乳液聚合法在硅納米顆粒表面 包覆聚丙烯腈(PAN),經(jīng)800℃熱處理得到硅碳核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合材料(Si@C)。無定形碳層抑制了充放電過程中硅顆粒的團(tuán)聚,Si@C在循環(huán)20次后容量維持在初始容量的50%左右。相比之下,硅納米顆粒在循環(huán)20次后容量衰減嚴(yán)重。
Hwa等以聚乙烯醇(PVA)為碳源,采用惰性氣 氛下高溫?zé)峤夥▽杓{米顆粒進(jìn)行碳包覆,得到碳?xì)雍穸葹?~10 nm厚的硅碳復(fù)合材料。采用硅納米顆??梢越档凸璧?**體積效應(yīng),減弱材料內(nèi)部應(yīng)力,碳包覆則進(jìn)一步緩沖了硅內(nèi)核的膨脹,該復(fù)合材料在100 mA/g 電流下循環(huán)50次后比容量仍可達(dá)1 800 mA·h/g,展現(xiàn)出優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性,而純納米Si和碳包覆微米硅(4μm)容量則衰減***不足200 mA·h/g。
Xu等通過高溫?zé)峤饩燮蚁?PVDF)得到 核殼型硅碳復(fù)合材料,其碳層厚度為20~30 nm;該硅碳復(fù)合材料電極在0.02~1.5V電壓范圍內(nèi),50 mA/g電流條件下的***可逆比容量為1328.8 mA·h/g,循環(huán)30次后容量保持在1290 mA·h/g,容量保持率達(dá)97%。 核殼型硅/碳復(fù)合材料中,不同熱解碳源材料的選擇對復(fù)合體系中硅-碳嵌鋰基質(zhì)界面的影響也不盡相同。
Liu等對比分析了以聚環(huán)氧乙烯(PEO)、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯(PE)、氯化聚乙烯(CPE)和PVDF為熱解碳源的硅基核殼型負(fù)極材料,發(fā)現(xiàn):由于含氟材料對硅的刻蝕作用,部分F可嵌入到Si—Si鍵中,有效地強化了熱解碳與硅內(nèi)核的界面兼容性,相應(yīng)的Si-PVDF 基活性材料也展現(xiàn)出更為優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定。
因此,當(dāng)碳源有機前驅(qū)物中含有F或Cl元素時,有利于獲得更穩(wěn)定的硅碳界面,使材料的電化學(xué)性能更為優(yōu)異。
總之,通過對硅材料進(jìn)行碳包覆,構(gòu)建核殼結(jié)構(gòu),有助于改善材料的循環(huán)穩(wěn)定性。然而,當(dāng)硅碳核殼結(jié)構(gòu)中的熱解碳無空隙地包覆在硅顆粒表面時,由于硅核鋰化過程的體積效應(yīng)太大,會導(dǎo)致整個核殼顆粒膨脹,甚***導(dǎo)致表面碳層發(fā)生破裂,復(fù)合材料結(jié)構(gòu)坍塌,循環(huán)穩(wěn)定性迅速下降。為解決這一問題,研究者從強化殼層機械性能方面入手,設(shè) 計出了雙殼層結(jié)構(gòu)。
Tao等通過在硅納米顆粒表面包覆SiO2和熱解碳,制備出具有雙殼層結(jié)構(gòu)的復(fù)合材料(Si@SiO2@C),見圖1。與單殼層Si@C相比,Si@SiO2@C具有更高的容量保持率,在0.01~5 V電壓范圍內(nèi)循環(huán)100次后仍具有 785 mA·h/g的可逆容量。
研究表明,中間層SiO2作為緩沖相,可進(jìn)一步減小循環(huán)過程產(chǎn)生的膨脹應(yīng)力;同時,SiO2層還可與擴(kuò)散的Li+ 發(fā)生不可逆反應(yīng),生成Si和Li4SiO4合金,進(jìn)一步保證了材料的可逆容量。
1.1.2 蛋黃-殼型
蛋黃-殼結(jié)構(gòu)是在核殼結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,通過一定技術(shù)手段,在內(nèi)核與外殼間引入空隙部分,進(jìn)而形成的一種新型納米多相復(fù)合材料。蛋黃-殼型硅/碳復(fù)合材料呈現(xiàn)一種特殊的Si@void@C殼層的構(gòu)型,不僅具有普通核殼結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢,而且它的空腔對于硅體積膨脹有容納作用,可實現(xiàn)硅核更加自由的膨脹收縮,從而保證材料在充放電過程中整體結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性,有利于產(chǎn)生穩(wěn)定的固態(tài)電解質(zhì)(SEI)膜。
Zhou等采用溶膠-凝膠法在硅納米顆粒表面 包覆一層SiO2殼層,以蔗糖為碳源進(jìn)行熱解碳包覆,將SiO2用HF刻蝕后得到蛋黃-殼結(jié)構(gòu)復(fù)合材料(Si@void@C),其中活性物質(zhì)硅的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為28.54%。相比于硅納米顆粒和空心碳,Si@void@C具有更好的循環(huán)穩(wěn)定性,***比容量為813.9 mA·h/g,循環(huán)40次后容量保持在500 mA·h/g。
Tao等采用相似的方法也制備出穩(wěn)定的 Si@void@C復(fù)合材料,循環(huán)100次后的比容量為780 mA·h/g。碳負(fù)載量的優(yōu)化發(fā)現(xiàn),復(fù)合材料中碳負(fù)載量為63%時的比容量(780 mA·h/g)高于碳負(fù)載量為72%時的比容量(690 mA·h/g)。這表明要實現(xiàn)Si@void@C復(fù)合材料的*大容量,還需要對蛋黃- 殼結(jié)構(gòu)進(jìn)行深入的優(yōu)化設(shè)計。
Liu等以聚多巴胺為碳源合成出蛋黃-殼復(fù)合材料(Si@void@C)。在該結(jié)構(gòu)中,硅內(nèi)核和薄碳層之間預(yù)留了充足的空間,使硅在鋰化膨脹時不破壞碳?xì)樱瑥亩箯?fù)合材料表面能形成穩(wěn)定的SEI膜。
這種Si@void@C在0.1C電流密度下,可逆容量高達(dá)2800 mA·h/g,循環(huán)1000次后有 74%的容量保持率以及99.84 %的Coulomb效率。
近來,研究者將多殼層概念引入到硅碳蛋黃-殼結(jié)構(gòu)設(shè)計中,以增強碳層的機械性能,提高材料抵抗硅體積膨脹應(yīng)力的能力。
Sun等通過囊泡模板法制備出Si@void@SiO2材料,并在多孔SiO2殼層內(nèi)外側(cè)涂覆多糖,于惰性氣氛下高溫?zé)峤獾玫?Si@void@C@SiO2@C,經(jīng)HF刻蝕除去SiO2后,得到具有雙殼層結(jié)構(gòu)(Si@void@C@void@C) 的蛋黃-殼型復(fù)合材料(Si@DC),見圖2。
雙碳層的引入使材料具有更為優(yōu)異的導(dǎo)電性能。在50mA/g電流密度下,Si@DC在循環(huán)80次后的放電比容量保持943.8 mA·h/g,而硅/單殼層(Si@SC)和純硅顆粒在循環(huán)80次后容量則分別降低***719.8和115.3 mA·h/g。
Yang等采用Stöber法和熱解法在硅納米顆 粒表依次包覆SiO2層和碳層,經(jīng)HF選擇性刻蝕,得到雙殼層結(jié)構(gòu)復(fù)合材料(Si@void@SiO2@void@C)。
該材料展現(xiàn)出優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性,在460 mA/g電流密度下循環(huán)430次后,容量保持在 956mA·h/g,容量保持率高達(dá)83%,而Si@C 核殼材料在相同測試條件下,*次循環(huán)容量衰減明顯,循環(huán)430次后容量不足200 mA·h/g。
在此復(fù)合結(jié)構(gòu)中,碳層能夠提高導(dǎo)電性,SiO2層增加了材料穩(wěn)定性,空腔為硅內(nèi)核的膨脹提供了緩沖空間。同時,SiO2 和碳雙殼層阻隔了電解液和硅納米顆粒,防止硅納米顆粒與電解質(zhì)發(fā)生不可逆反應(yīng),起到了了雙層保障作用。
1.1.3 多孔型
多孔硅常用模板法來制備,硅內(nèi)部空隙可以為鋰硅合金化過程中的體積膨脹預(yù)留緩 沖空間,緩解材料內(nèi)部機械應(yīng)力。由多孔硅形成的硅碳復(fù)合材料,在循環(huán)過程中具有更加穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。
研究表明,在多孔型硅/碳復(fù)合材料中,均勻分布在硅顆粒周圍的孔道結(jié)構(gòu)能夠提供快速的離子傳輸通道,且較大的比表面積增加了材料反應(yīng)活性,從而展現(xiàn)出優(yōu)良的倍率性能,在電池快充性能方面具有顯著優(yōu)勢。
Li等通過可控還原二氧化硅氣凝膠的方 法,合成出3D連通的多孔硅碳復(fù)合材料,該材料在200 mA/g電流密度下循環(huán)200次時容量保持在1552 mA·h/g,且在2000 mA/g 大電流充放電下循環(huán)50次后仍保持1057 mA·h/g的比容量。
Bang等通過電偶置換反應(yīng),將Ag顆粒沉積 于硅粉(粒徑10μm)表面,經(jīng)刻蝕除去Ag 后得到具有3D孔結(jié)構(gòu)的塊狀硅,再通過乙炔熱解進(jìn)行碳包覆,制備出多孔型硅碳復(fù)合材料,在0.1C倍率下具有2390 mA·h/g的初始容量以及94.4%的***Coulomb效率;在5C倍率時的容量仍可達(dá)到0.1C倍率時容量的92%,展現(xiàn)出優(yōu)異的倍率性能。此外,該電極循環(huán)50次后厚度從18μm變?yōu)?5μm,體積膨脹僅為39%;同時,該材料的體積比容量接近2830 mA·h/cm3 ,是商業(yè)化石墨電極的5倍(600 mA·h/cm3 )。
Yi等將微米級SiO2粉末在950℃高溫處理 5h,得Si/SiO2混合物,HF酸刻蝕除去SiO2后,得到由粒徑為10 nm的硅一次粒子堆積組成的多孔硅。然后,以乙炔為碳源,在 620 ℃熱解20min,對多孔硅進(jìn)行碳包覆,制得多孔硅碳復(fù)合材料。該材料在1 A/g電流密度下循環(huán)200次后容量保持在1459 mA·h/g,遠(yuǎn)高于純硅;在12.8 A/g高電流密度下的比容量仍可達(dá)到700mA·h/g,表現(xiàn)出優(yōu)異的倍率性能。此外,該材料振實密度大(0.78g/cm3 ),體積比容量高,在400 mA/g 電流密度下充放電循環(huán)50次,容量保持在1326mA·h/cm3。
進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn),通過調(diào)節(jié)反應(yīng)溫度對硅一次粒子粒徑進(jìn)行優(yōu)化,其中一次粒子為15 nm 時多孔硅碳復(fù)合材料性能*優(yōu),在400 mA/g 電流密度下循環(huán)100次后容量可達(dá)1800 mA·h/cm3,遠(yuǎn)高于一次粒子粒徑為30nm和 80nm的復(fù)合材料。這主要是由于硅一次粒子粒徑越小,脫嵌鋰時體積變化越小,因而能夠形成更為穩(wěn)定的SEI膜。
另外,對碳化溫度和時間進(jìn)一步優(yōu)化發(fā)現(xiàn),碳化溫度 800℃、碳負(fù)載質(zhì)量分?jǐn)?shù)20%時的多孔硅/碳復(fù)合材料性能*佳,在1.2 A/g電流密度下循環(huán)600次后的容量保持在1200mA·h/g, 幾乎無容量損失,且Coulomb效率高達(dá) 99.5%。
該多孔硅碳復(fù)合材料合成工藝成本低,易于規(guī)?;a(chǎn)。
近來,Lu等設(shè)計并合成了一種特殊結(jié)構(gòu)的碳 包覆多孔硅材料(nC–pSiMPs),其中,多孔微米硅(pSiMPs)由一次硅納米顆粒堆積而成,其內(nèi)部硅納米顆粒表面無碳包覆層,碳層僅涂覆于微米多孔硅外表面。
該材料是以商業(yè)化SiO微粒為原料,以間苯二酚–甲醛樹脂為碳源,在Ar氣氛下高溫碳化處理得到碳包覆層,同時內(nèi)核SiO經(jīng)高溫歧化反應(yīng)生成Si和SiO2,HF刻蝕后得到硅與空腔的體積比為3:7的多孔硅。該結(jié)構(gòu)中,空腔尺寸能夠很好的容納硅在脫嵌鋰時的體積變化而不使碳?xì)悠屏?,保證了材料結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性;同時,包覆于多孔硅外表面的碳?xì)幽茏柚闺娊庖航攵嗫坠鑳?nèi)部,減少硅與 電解液的接觸面積,僅在微米硅外表面碳包覆層上形成穩(wěn)定的SEI膜。
相應(yīng)地,對于內(nèi)部硅納米顆粒也包覆碳層的材料(iC-pSiMP),電解液與活性物質(zhì)接觸面積更大,同時硅體積膨脹易導(dǎo)致碳層破裂,內(nèi)部硅納米顆粒裸露并與電解液接觸,導(dǎo)致充放電循環(huán)過程中產(chǎn)生更厚的SEI膜。
因而,nC-pSiMPs電極(活性物質(zhì)負(fù)載量為0.5 mg/cm2 )較iC-pSiMP和pSiMP具有更優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性,在1/4C (1C=4.2 A/g 活性物質(zhì))循環(huán)1000次時可逆容量高達(dá)1500 mA·h/g。
此外,該電極材料經(jīng)100次循環(huán)后,厚度從 16.2μm增***17.3μm,膨脹率僅為7%,其體積比容量(1003 mA·h/cm3)也遠(yuǎn)高于商業(yè)化石墨(600mA·h/cm3)。
1.2 嵌入型
嵌入型硅碳復(fù)合材料是指將硅顆粒通過物理或者化學(xué)手段分散到碳載體中,硅顆粒與碳基體結(jié)合緊密,形成穩(wěn)定均勻的兩相或多相體系,依靠碳載體為電子和離子提供傳輸通道和支撐骨架,提供材料結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。
嵌入型硅碳復(fù)合材料中,硅含量一般較低,可以貢獻(xiàn)的容量較少,因此其可逆比容量也通常較低,但是在復(fù)合材料中存在大量的碳材料,所以其循環(huán)穩(wěn)定性一般較好。
1.2.1 石墨
石墨是目前應(yīng)用*廣泛的鋰離子電池負(fù)極材料,分為天然石墨和人造石墨兩種,原料 來源廣泛且價格低廉。石墨具有層片狀結(jié)構(gòu),充放電過程中體積變化小,循環(huán)穩(wěn)定性能良好,可緩沖充放電過程中的硅結(jié)構(gòu)重建引發(fā)的體積膨脹,避免負(fù)極材料結(jié)構(gòu)坍塌,適合作為緩沖基體;同時石墨良好的電子導(dǎo)電性很好地解決硅電子導(dǎo)電性差的問題。但石墨常溫條件下化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,很難與硅產(chǎn) 生強的作用力,因而目前主要是通過高能球磨和化學(xué)氣相沉積2種方法制備硅/石墨復(fù)合材料。
Pengjian等采用高能球磨法將石墨和硅粉混合制得硅/石墨復(fù)合材料。研究表明,該復(fù)合材料中沒有產(chǎn)生合金相,其***可逆比容量為595 mA·h/g, Coulomb效率為66%;循環(huán)40次后比容量為469 mA·h/g,每次循環(huán)的容量損失率約為0.6%。
Holzapfel等采用化學(xué)沉積法(CVD)將硅納米顆粒沉積在石墨中,當(dāng)硅質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 7.1%時,電極的可逆容量為520mA·h/g,其中硅貢獻(xiàn)的比容量超過2500 mA·h/g,循環(huán)100次后硅貢獻(xiàn)的比容量仍高達(dá)1900 mA·h/g。
石墨與硅之間的作用力較弱,很難形成穩(wěn)定的復(fù)合結(jié)構(gòu)。因此,石墨一般被用作導(dǎo)電骨架或介質(zhì),與其他硅/碳材料共同構(gòu)建結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的三元復(fù)合體系。對于鋰離子電池負(fù)極材料來說,硅/無定形碳/石墨(Si–C–G)是現(xiàn)今較為流行也是*早開始研究的三元復(fù)合體系,其制備方法主要有機械混合-高溫?zé)峤夥?、溶劑?高溫?zé)峤夥ê突瘜W(xué)氣相沉積法等。
對于Si–C–G復(fù)合材料而言,硅比容量*大(約3579 mA·h/g),為石墨及熱解碳的10倍,是決定復(fù)合材料容量的關(guān)鍵活性物質(zhì),可通過調(diào)控硅在復(fù)合體系中的含量來設(shè)計容量;石墨作為支撐材料,可改善硅的分散效果及導(dǎo)電性;無定形碳作為粘結(jié)劑和包覆碳,將硅粉與石墨有效一結(jié)合起來,并與石墨共同形成導(dǎo)電炭網(wǎng)結(jié)構(gòu),同時,無定形碳還能改善硅與電解液的界面性能。
因此,基于硅-無定形碳-石墨3種材料的有機結(jié)合,能有效提高硅負(fù)極的電化學(xué)性能。
Kim等采用機械化學(xué)球磨與造粒過程相結(jié)合的方法,將硅納米顆粒與較大顆粒的鱗片石墨混合造粒,使得較小的硅納米顆粒嵌入到鱗片石墨夾縫中,進(jìn)而制備了硅–石墨/無定形碳復(fù)合材料。該復(fù)合材料很好的解決了硅導(dǎo)電性差和體積膨脹的問題,所得復(fù)合材料具有568 mA·h/g的可逆比容量,***Coulomb效率可達(dá)86.4%。
Lee等將硅納米顆粒(100nm)和天然鱗片石 墨(~5μm)加入到瀝青溶液中,經(jīng)球磨-造粒-高溫?zé)峤馓蓟玫絊i–G–C三元復(fù)合材料,其可逆比容量為700 mA·h/g,***效率高達(dá)86%,50次循環(huán)后比容量幾乎沒有衰減。
Ma等將硅納米顆粒、聚氯乙烯(PVC)和膨脹石墨溶解于*(THF),蒸發(fā)溶劑后碳化,得到硅–碳–膨脹石墨復(fù)合材料。該材料在200mA/g下,可逆容量為902.8 mA·h/g,循環(huán)40次后容量保持率為98.4%。
研究發(fā)現(xiàn),循環(huán)過程中因膨脹而破碎的硅納米顆粒仍能較好的分散在膨脹石墨上,這 主要歸功于膨脹石墨的多孔性和良好的柔韌性。
綜上所述,硅/石墨或硅/石墨/碳體系容量普遍不高,在1000mA·h/g以下,硅含量一般較低,減少硅使用量的目的在于提升復(fù)合材料容量的同時盡可能保證材料各項性能與石墨一致,特別是***Coulomb效率和循環(huán)壽命,以期提高現(xiàn)有電池體系的質(zhì)量與體積能量密度。目前的設(shè)計容量為450~600 mA·h/g,但考慮到目前爆發(fā)式的新能源車市場對里程和壽命的需求,開發(fā) 300~350W·h/kg 的動力鋰電池是必然趨勢,因此高容量硅基材料的開發(fā)也勢在必行。
1.2.2 碳納米管/納米纖維
相對于石墨顆粒,碳納米管/納米纖維(CNT/CNF)得益于其高長寬比的優(yōu)勢,與硅復(fù)合后,利用其導(dǎo)電性及網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)可以構(gòu)建連續(xù)的電子傳遞網(wǎng)絡(luò),緩解循環(huán)過程中硅的體積變化,抑制顆粒團(tuán)聚,從而提高硅基負(fù)極材料的電化學(xué)性能。
Camer等利用化學(xué)合成法得到酚醛聚合物- 硅復(fù)合材料,然后在惰性氣氛下碳化得到 Si/SiOx/碳纖維復(fù)合材料。碳纖維的存在增強了電極的導(dǎo)電性,同時能夠限制硅脫嵌鋰過程中的膨脹和收縮。該復(fù)合材料在500 mA/g電流密度下,比容量達(dá)2 500 mA·h/g,并表現(xiàn)出良好的循環(huán)穩(wěn)定性能。
Mangolini等將量子點Si溶液、CNTs和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)涂覆于銅箔上,并在惰性氣氛下熱處理,得到Si/CNTs復(fù)合材料,其中Si粒子在CNTs中分散均勻,兩者之間形成異質(zhì)結(jié)層。該材料循環(huán)200次后的充電比容量仍可達(dá)1000 mA·/g, 其Coulomb效率為99.8%。
另外,將CNT和CNF引入到Si@C復(fù)合材料 中,借助三種材料間的協(xié)同效應(yīng)也有助于進(jìn)一步強化材料的電化學(xué)性能。
Zhang等將CNT和CNF和Si@C混合,制備出容量高且循環(huán)性能優(yōu)異的復(fù)合材料(Si@C/CNT&CNF)。其中,CNT和CNF與硅表面的碳包覆層在復(fù)合材料內(nèi)構(gòu)建出高效的電子傳遞網(wǎng)絡(luò),將大部分Si@C顆粒連接在一起,強化復(fù)合材料的導(dǎo)電性;同時CNT和CNF與Si@C相互交織混合,在復(fù)合材料內(nèi)形成的孔穴,可承受 硅在嵌鋰過程中的膨脹,抑制循環(huán)過程中傳遞網(wǎng)絡(luò)的破裂,進(jìn)而提升材料的循環(huán)穩(wěn)定性。
該材料在300mA/g電流密度下循環(huán)50次后容量仍可達(dá)1195 mA·h/g,而未摻雜CNTs&CNFs的Si@C材料 循環(huán)穩(wěn)定性較差,50次后容量僅有601 mA·h/g,未包覆碳的純硅納米顆粒經(jīng)15次循環(huán)后容量衰減***幾乎為0。
1.2.3 石墨烯
除石墨和碳納米管/納米纖維外,石墨烯因其優(yōu)異的導(dǎo)電性、高比表面積和良好的柔韌性等特點,也成為改性硅基負(fù)極的熱點材料 之一。研究者已開發(fā)出幾種制備鋰離子電池硅/石墨烯復(fù)合負(fù)極材料的方法。
Chou等通過將硅納米顆粒與石墨烯簡單機械混合,所得材料***可逆 比容量為2158 mA·h/g,30次循環(huán)后仍保持在1168 mA·h/g。
Chabot等通過將硅納米顆粒和氧化石墨烯混合液凍干后,在含有10%(體積分?jǐn)?shù))H2的Ar氣氛下熱還原制備硅/石墨烯復(fù)合材料。該材料的初始放電容量為2312 mA·h/g,經(jīng)100次循環(huán)后容量保持率為78.7%。
Luo等設(shè)計了一種氣溶膠輔助-毛細(xì)管驅(qū)動自組裝方法,將氧化石墨烯與硅超聲混合,加熱形成霧滴后,由氣體將混合物帶入碳化爐加熱還原碳化,從而得到一種褶皺石墨烯 包覆硅復(fù)合材料。該材料在1A/g電流下循環(huán)250次后容量仍可達(dá)到940mA·h/g,***循環(huán)后平均每次容量損失僅為0.05%。
研究表明,將石墨烯(G)與硅復(fù)合可改善硅負(fù)極的導(dǎo)電性及循環(huán)穩(wěn)定性,但僅僅引入石墨烯并不能*大程度上改善硅負(fù)極材料的電化學(xué)性能,通過將硅、石墨烯和無定形熱解碳碳結(jié)合到一起,利用三者間的協(xié)同作用有望得到電化學(xué)性能更優(yōu)的硅基負(fù)極材料。
Zhou等設(shè)計了石墨烯/Si@C復(fù)合材料,通 過在硅納米顆粒表面包覆一層熱解碳保護(hù)層,既有利于硅的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,又能強化硅顆粒和石墨烯界面的結(jié)合能力,促進(jìn)界面間的電子傳輸。這種具有雙層保護(hù)結(jié)構(gòu)的復(fù)合材料在300 mA/g 電流密度下循環(huán)100次后的可逆容量可達(dá)902 mA·h/g。
Li等先將聚苯胺接枝到硅納米顆粒表面, 隨后利用聚苯胺與石墨烯間的π–π作用和靜電引力,在顆粒表面自組裝包覆石墨烯后,經(jīng)高溫碳化得到Si@C/G復(fù)合材料。該復(fù)合材料在50mA/g電流密度下的可逆容量為1500mA·h/g,在2000mA/g 的高電流密度下的容量也超過了900 mA·h/g,且循環(huán)300次后的容量保持率可達(dá)初始容量的 70%。
Zhou等將帶正電荷的聚氯化二烷基二甲基 胺(PDDA)包覆帶負(fù)電荷的硅納米顆粒,然后與帶有負(fù)電荷的氧化石墨烯在靜電作用下進(jìn)行自組裝,碳化得到具有包覆結(jié)構(gòu)的 Si@C/G復(fù)合材料。該材料在100mA/g電流密度下,150次循環(huán)后仍有1205 mA·h/g的可逆容量。
Yi等采用相似的方法將PDDA包覆SiO和氧化石墨烯(GO)混合物后,經(jīng)高溫碳化、HF 酸刻蝕后得到微孔硅/石墨烯復(fù)合材料(G/Si),隨后以乙炔為碳源,經(jīng)高溫?zé)峤馓蓟M(jìn)行碳包覆得到G/Si@C三 元復(fù)合材料。該材料具有高達(dá)1150 mA·h/g的比容量,且循環(huán)100次后容量基本保持不變。
研究發(fā)現(xiàn),在石墨烯支撐骨架和碳包覆的協(xié)同作用下,該復(fù)合材料在負(fù)極活性物質(zhì)高負(fù)載量較條件下,仍表現(xiàn)出高的面積比容量,循環(huán)100次后面積比容量約為3.2 mA·h/cm2 。
在相同負(fù)載量下,無石墨烯支撐骨架的碳包覆微孔硅(Si@C)復(fù)合材料的面積比容量衰減嚴(yán)重,循環(huán)100次后面積比容量約為1.8 mA·h/cm2 。
這主要是石墨烯支撐骨架和碳包覆層的引入,在復(fù)合材料中構(gòu)建出高效的電子傳導(dǎo)網(wǎng)絡(luò),將所有的硅顆粒有效連接到一起,有效地強化了負(fù)*活性物質(zhì)的電化學(xué)性能。 與石墨和碳納米管/納米纖維不同,石墨烯具有特殊單層2D平面結(jié)構(gòu),可以與硅復(fù)合構(gòu)建具有“三明治”結(jié)構(gòu)的硅/石墨烯復(fù)合材料。
在這種“三明治”結(jié)構(gòu)中,石墨烯片相互疊在一起,將硅納米顆粒像“三明治”一樣夾在其堆積彈性層中,有效的抑制了硅與電解液的接觸以及顆粒團(tuán)聚。同時,堆積層中的空穴缺陷(層與層之間的空穴及石 墨烯片的空穴缺陷)能夠緩沖硅顆粒的體積膨脹,降低脫嵌鋰過程中產(chǎn)生的形變應(yīng)力。
另外,該“三 明治”結(jié)構(gòu)單元在三維石墨網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中互相連接,可重新構(gòu)成硅/石墨烯三維網(wǎng)狀復(fù)合材料,Li+ 可以在石墨烯片層上自由移動,也能通過平面上的空穴缺陷在層與層之間傳遞,進(jìn)而強化復(fù)合材料中 Li+傳導(dǎo)及其電化學(xué)反應(yīng)。
Mori等在隔絕空氣條件下,采用電子束沉 積技術(shù)制備出多層“三明治”結(jié)構(gòu)硅/石墨烯復(fù)合材料。
研究表明,“三明治”結(jié)構(gòu)的層數(shù)和厚度對復(fù)合材料***放電容量、Coulomb 效率和可逆容量 有直接影響:當(dāng)層數(shù)為7及厚度為100nm時,復(fù)合材料的電化學(xué)性能*優(yōu),在 100 mA/g電流密度下循環(huán)30次后放電容量超過1600 mA·h/g。以LiCoO2為正極,以這種硅/石墨烯為負(fù)極組裝的柔性鋰離子軟包電池,可用于商業(yè)LED燈電源裝置,在柔性薄膜電子設(shè)備領(lǐng)域具有潛在優(yōu)勢。
Liu等基于應(yīng)力釋放的原理,設(shè)計制備自卷 曲硅/還原氧化石墨烯(rGO)納米“三明治”結(jié)構(gòu)薄膜材料,該結(jié)構(gòu)中的內(nèi)部空穴以及納米薄膜的機械穩(wěn)定性能有效緩解硅脫嵌鋰過程產(chǎn)生的膨脹應(yīng)力。此外,納米薄膜中均勻分布的rGO層不僅能夠增強導(dǎo)電性,緩解硅納米顆粒的體積膨脹及團(tuán)聚,還可 以有效抑制充放電過程中形成較厚的SEI 膜。該“三明治”結(jié)構(gòu)復(fù)合薄膜在3 A/g條件下循環(huán)2000次,每100次循環(huán)壽命衰減僅為3.3%,展現(xiàn)出優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性。
電極優(yōu)化
除結(jié)構(gòu)、表面和界面之外,其他因素如電解液添加劑和粘結(jié)劑等對硅碳復(fù)合材料的容量和循環(huán)性能也有重要的影響。
2.1 電解液添加劑
硅在嵌鋰過程中嚴(yán)重的體積膨脹(~300%)會引起活性材料顆粒粉化,導(dǎo)致其表面很難形成穩(wěn)定的SEI膜;而且脫嵌鋰過程中,硅的體積變化也易破壞該層膜。SEI膜被破壞,裸露出新的硅顆粒表面,電解液就會繼續(xù)在其表面分解,形成新的SEI膜, 導(dǎo)致SEI膜越來越厚,電極內(nèi)阻不斷增大,加劇了電極容量衰減。
電解液組成影響著SEI膜的形成,進(jìn)而影響負(fù)極材料的電化學(xué)性能。為形成均一穩(wěn)定 的SEI薄層,研究者通過加入電解液添加劑來改善硅負(fù)極的電化學(xué)性能。目前使用的添加劑有碳酸亞乙烯酯、三羥甲基氨基甲烷、丁二酸酐、氟代碳酸乙烯酯(FEC)等,其中效果*好的添加劑當(dāng)屬FEC。硅納米顆粒(~50nm)在FEC質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%的電解液中循環(huán)80次后僅有5%的容量損失, Coulomb效率接近99%,而在無FEC的電解液中循環(huán)80次后容量保持率僅有70%,Coulomb效率也衰減***97%。
研究表明,F(xiàn)EC還原產(chǎn)物主要有 —CHF—OCO2 型化合物和LiF,在充放電過程中FEC被還原生成的化合物組成了初始的SEI膜包覆在硅表面。該層SEI膜機械性能好,不易破裂,能夠有效的阻隔硅和電解液接觸,減緩電解液分解,抑制不均勻SEI膜的不斷產(chǎn)生。同時,另一產(chǎn)物L(fēng)iF的產(chǎn)生還有利于Li+在SEI膜內(nèi)的傳導(dǎo)。
2.2 粘結(jié)劑
鋰離子電池電極制備過程中,通常采用聚合物粘結(jié)劑將活性物質(zhì)和導(dǎo)電劑粘結(jié)于集流體上,因而粘結(jié)劑的特性對電池性能的影響也***關(guān)重要,特別是初始Coulomb效率和循環(huán)性能。聚偏氟乙烯(PVDF)是目前商業(yè)化應(yīng)用*廣泛的一種粘結(jié)劑,但其與硅負(fù)極材料結(jié)合為Van der Waals力,粘合力弱,難以適應(yīng)硅脫嵌鋰時巨大的體積效應(yīng),不足以維持電極結(jié)構(gòu)的完整性。近來,研究者在硅基材料粘結(jié)劑研究方面取得了顯著進(jìn)展,如含羧基化合物及其衍生物,包括聚丙烯酸(PAA)、羧甲基纖維素(CMC)基聚合物、海藻酸(Alg)基聚合物等。
相比于PVDF和丁苯橡膠(SER),這些聚合物能與硅形成氫鍵和/或共價鍵,具有更好的粘附能力。
*近,Kovalenko等發(fā)現(xiàn):以海藻酸為粘結(jié)劑的硅負(fù)極比以CMC為粘結(jié)劑具有更好的電化學(xué)性能,在4200mA/g 高電流密度下循環(huán)100次后,可逆容量超過1700mA·h/g,而CMC基Si負(fù)極在40次循環(huán)后容量已不足1000mA·h/g。其原因為海藻酸的羧基是均勻地分布在聚合物鏈中,而在CMC的羧基是分布隨機。
此外,多功能聚合物粘結(jié)劑也受到了一定的研究關(guān)注。例如,Ryou等利用具有粘結(jié)性鹽酸多巴胺的兒茶酚基團(tuán)的螯合作用,將其接枝到PAA和Alg骨架上,并以此為粘結(jié)劑制備出Si–Alg–C和Si–PAA–C電極。相比以PAA和Alg為粘結(jié)劑的Si–Alg和Si–PAA電極,Si–Alg–C和Si–PAA–C電極電***有更好的循環(huán)穩(wěn)定性。雖然,此類引入官 能團(tuán)改善聚合物粘結(jié)性的方法,能夠改善硅負(fù)極的電化學(xué)性能,但此類多功能聚合物粘結(jié)劑屬于直鏈聚合物,一旦循環(huán)過程中硅發(fā)生連續(xù)體積變化,粘結(jié)劑容易從硅顆粒表面剝落。
為解決這一問題,研究者通過將聚合物鏈段交聯(lián)固定,制備出具有三維(3D)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的硅負(fù)極粘結(jié)劑。Koo等通過PAA和CMC縮合反應(yīng)制備3D交聯(lián)聚合物粘結(jié)劑c-PAA-CMC。相比CMC、PAA 和PVDF,c-PAA-CMC用于硅納米顆粒負(fù)極時具有更好的循環(huán)穩(wěn)定性。*近,含有大量氫鍵且具有自修復(fù)功能聚合物(SHPs)同樣也被用作粘結(jié)劑來穩(wěn)定硅負(fù)極材料。SHPs在機械性能和導(dǎo)電性能方面均具有自愈合能力,能夠在電池循環(huán)過程中使破裂或者毀壞的硅反復(fù)地愈合。
Si-SHP/炭黑(Si–SHP/CB)電極在高負(fù)載量條件下(1.13 mA/cm2 )以0.1 mA/cm2電流 充放電時,初始單位面積容量接近3.22 mA h/cm2 ,即使在0.3 mA/cm2 電流下循環(huán)120 次,單位面積容量仍可達(dá)到2.72 mA h/cm2 。相比之下,使用CMC或PVDF作為粘結(jié)劑,在相同硅負(fù)極材料及負(fù)載量條件下,循環(huán)數(shù)次后容量便快速衰減。
結(jié) 論
硅碳復(fù)合材料結(jié)合了碳材料高電導(dǎo)率和穩(wěn)定性以及硅材料高容量的優(yōu)點,通過碳材料遴選、制備工藝優(yōu)化和復(fù)合結(jié)構(gòu)設(shè)計,硅碳負(fù)極材料的***及后續(xù)Coulomb效率、循環(huán)性能都得到明顯改善。制備蛋黃-殼型或引入石墨烯等方法可得到具有特殊形態(tài)結(jié)構(gòu)且性能優(yōu)異的硅碳復(fù)合材料,但是很難實 現(xiàn)規(guī)模化商業(yè)化。
目前,硅與石墨材料的復(fù)合,利用包覆和嵌入構(gòu)建高性能硅碳負(fù)極材料得到了業(yè)界的認(rèn)可,被視為*接近產(chǎn)業(yè)化的負(fù)極產(chǎn)品。
未來硅碳材料研究方向?qū)⒅赜谝韵聨讉€方面:
1) 提高硅納米顆粒的分散度,與碳材料形成有效的復(fù)合結(jié)構(gòu);
2) 對硅碳兩種材料的復(fù)合機理及不同微觀結(jié)構(gòu)嵌脫鋰的機理進(jìn)行研究,探討不同微觀結(jié)構(gòu)對電化學(xué)性能的影響,如比表面積對SEI膜形成的影響、不同復(fù)合體系中碳含量和結(jié)構(gòu)對不可逆容量的影響;
3) 簡化優(yōu)化材料制備工藝,采用性價比高、周期短的原料和制備方法;
4) 探尋與硅碳材料性能更匹配的粘結(jié)劑和電解液;
5) 在保持循環(huán)穩(wěn)定性的條件下提高硅碳材料大電流充放電性能,這對于功率型和動力型電池很 有意義;
6) 材料選擇和工藝必須要考慮安全和環(huán)保,向著綠色、環(huán)保、可循環(huán)利用的方向發(fā)展。

研磨分散機是由膠體磨分散機組合而成的高科技產(chǎn)品。

第一級由具有精細(xì)度遞升的三級鋸齒突起和凹槽。定子可以無限制的被調(diào)整到所需要的轉(zhuǎn)子之間距離。在增強的流體湍流下。凹槽在每級口可以改變方向。
第二級由轉(zhuǎn)定子組成。分散頭的設(shè)計也很好的滿足不同粘度的物質(zhì)以及顆粒粒徑的需要。在線式的定子和轉(zhuǎn)子(乳化頭)和批次式機器的工作頭設(shè)計的不同主要是因為在對輸送性的要求方面,特別要引起注意的是:在粗精度、中等精度、細(xì)精度和其他一些工作頭類型之間的區(qū)別不光是轉(zhuǎn)子齒的排列,還有一個很重要的區(qū)別是不同工作頭的幾何學(xué)征不一樣。狹槽寬度以及其他幾何學(xué)特征都能改變定子和轉(zhuǎn)子工作頭的不同功能。

以下為型號表供參考:

型號

標(biāo)準(zhǔn)流量

L/H

輸出轉(zhuǎn)速

rpm

標(biāo)準(zhǔn)線速度

m/s

馬達(dá)功率

KW

進(jìn)口尺寸

出口尺寸

XMD2000/4

400

18000

44

4

DN25

DN15

XMD2000/5

1500

10500

44

11

DN40

DN32

XMD2000/10

4000

7200

44

22

DN80

DN65

XMD2000/20

10000

4900

44

45

DN80

DN65

XMD2000/30

20000

2850

44

90

DN150

DN125

XMD2000/50

60000

1100

44

160

DN200

DN150

碳硅材料高剪切研磨分散機

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